锂电池异常原因汇总以及amjs澳金沙门故障判断2021-03-27 08:27
锂电池异常原因汇总，包括锂电池容量，锂电池内阻，锂电池电压，尺寸超厚，断路等，电池之都进行了简单汇总并分享给大家。
1、电池容量低
产生原因：a.附料量偏少；b.极片两面附料量相差较大；c.极片断裂；d.电解液少；e.电解液电导率低；f.正极与负极配片未配好；g.隔膜孔隙率小；h.胶粘剂老化→附料脱落；i.卷芯超厚（未烘干或电解液未渗透）j.分容时未充满电；k.正负极材料比容量小。
2、电池内阻高
产生原因：a.负极片与极耳虚焊；b.正极片与极耳虚焊；c.正极耳与盖帽虚焊；d.负极耳与壳虚焊；e.铆钉与压板接触内阻大；f.正极未加导电剂；g.电解液没有锂盐；h.电池曾经发生短路；i.隔膜纸孔隙率小。
3、电池电压低
产生原因：a.副反应（电解液分解；正极有杂质；有水）；b.未化成好（SEI膜未形成安全）；c.客户的线路板漏电（指客户加工后送回的电芯）；d.客户未按要求点焊（客户加工后的电芯）；e.毛刺；f.微短路；g.负极产生枝晶。
4、超厚
a.焊缝漏气;b.电解液分解;c.未烘干水分;d.盖帽密封性差;e.壳壁太厚;f.壳太厚;g.卷芯太厚（附料太多；极片未压实；隔膜太厚）。
5、电池化成异常
a.未化成好（SEI膜不完整、致密）；b.烘烤温度过高→粘合剂老化→脱料；c.负极比容量低；d.正极附料多而负极附料少；e.盖帽漏气，焊缝漏气；f.电解液分解，电导率降低。
6、电池爆炸
a.分容柜有故障（造成过充）；b.隔膜闭合效应差；c.内部短路。
7、电池短路
a.料尘；b.装壳时装破；c.尺刮（隔膜纸太小或未垫好）；d.卷绕不齐；e.没包好；f.隔膜有洞；g.毛刺
8、电池断路
a）极耳与铆钉未焊好，或者有效焊点面积小；b）连接片断裂（连接片太短或与极片点焊时焊得太靠下）
amjs澳金沙门常见不良分析
一、无闪现、输出电压低、带不起负载
此类不良首要排除电芯不良（电芯原本无电压或电压低），假设电芯不良则应检验保护板的自耗电，看是否是保护板自耗电过大导致电芯电压低。假设电芯电压正常，则是因为保护板整个回路不通（元器件虚焊、假焊、FUSE不良、pCB板内部电路不通、过孔不通、MOS、IC损坏等）。具体分析
过程如下：
（一）、用万用表黑表笔接电芯负极，红表笔依次接FUSE、R1电阻两端，IC的Vdd、Dout、Cout端，p+端（假定电芯电压为3.8V），逐段进行分析，此几个检验点都应为3.8V。若不是，则此段电路有问题。
1、FUSE两端电压有改动：检验FUSE是否导通，若导公例是pCB板内部电路不通；若不导公例FUSE有问题（来料不良、过流损坏（MOS或IC操控失效）、质料有问题（在MOS或IC动作之前FUSE被烧坏），然后用导线短接FUSE，持续往后分析。
2、R1电阻两端电压有改动：检验R1电阻值，若电阻值失常，则或许是虚焊，电阻自身开裂。若电阻值无失常，则或许是IC内部电阻出现问题。
3、IC检验端电压有改动：Vdd端与R1电阻相连。Dout、Cout端失常，则是因为IC虚焊或损坏。
4、若前面电压都无改动，检验B-到p+间的电压失常，则是因为保护板正极过孔不通。
（二）、万用表红表笔接电芯正极，激活MOS管后，黑表笔依次接MOS管2、3脚，6、7脚，p-端。
1.MOS管2、3脚，6、7脚电压有改动，则标明MOS管失常。
2.若MOS管电压无改动，p-端电压失常，则是因为保护板负极过孔不通。
二、短路无保护
1、VM端电阻出现问题：可用万用表一表笔接IC2脚，一表笔接与VM端电阻相连的MOS管管脚，供认其电阻值大小。看电阻与IC、MOS管脚有无虚焊。
2、IC、MOS失常：因为过放保护与过流、短路保护共用一个MOS管，若短路失常是因为MOS出现问题，则此板应无过放保护功用。
3、以上为正常情况下的不良，也或许出现IC与MOS装备不良引起的短路失常。如前期出现的BK-901，其型号为‘312D’的IC内延迟时间过长，导致在IC作出相应动作操控之前MOS或其它元器件已被损坏。注：其间供认IC或MOS是否发作失常最简易、直接的方法便是对有怀疑的元器件进行替换。
三、短路保护无自恢复
1、规划时所用IC原本没有自恢复功用，如G2J，G2Z等。
2、仪器设置短路恢复时间过短，或短路检验时未将负载移开，如用万用表电压档进行短路表笔短接后未将表笔从检验端移开（万用表相当于一个几兆的负载）。
3、p+、p-间漏电，如焊盘之间存在带杂质的松香，带杂质的黄胶或p+、p-间电容被击穿，ICVdd到Vss间被击穿。（阻值只有几K到几百K）。
4、假设以上都没问题，或许IC被击穿，可检验IC各管脚之间阻值。
四、内阻大
1、因为MOS内阻相对比较稳定，出现内阻大情况，首要怀疑的应该是FUSE或pTC这些内阻相对比较简单发作改动的元器件。
2、假设FUSE或pTC阻值正常，则视保护板结构检测p+、p-焊盘与元器件面之间的过孔阻值，或许过孔出现微断现象，阻值较大。
3、假设以上多没有问题，就要怀疑MOS是否出现失常：首要供认焊接有没有问题；其次看板的厚度（是否简单弯折），因为弯折时或许导致管脚焊接处失常；再将MOS管放到显微镜下观测是否破裂；终究用万用表检验MOS管脚阻值，看是否被击穿。
五、ID失常
1、ID电阻自身因为虚焊、开裂或因电阻质料不过关而出现失常：可从头焊接电阻两端，若重焊后ID正常则是电阻虚焊，若开裂则电阻会在重焊后从中裂开。
2、ID过孔不导通：可用万用表检验过孔两端。
3、内部线路出现问题：可刮开阻焊漆看内部电路有无断开、短路现象。
1、电池容量低
产生原因：a.附料量偏少；b.极片两面附料量相差较大；c.极片断裂；d.电解液少；e.电解液电导率低；f.正极与负极配片未配好；g.隔膜孔隙率小；h.胶粘剂老化→附料脱落；i.卷芯超厚（未烘干或电解液未渗透）j.分容时未充满电；k.正负极材料比容量小。
2、电池内阻高
产生原因：a.负极片与极耳虚焊；b.正极片与极耳虚焊；c.正极耳与盖帽虚焊；d.负极耳与壳虚焊；e.铆钉与压板接触内阻大；f.正极未加导电剂；g.电解液没有锂盐；h.电池曾经发生短路；i.隔膜纸孔隙率小。
3、电池电压低
产生原因：a.副反应（电解液分解；正极有杂质；有水）；b.未化成好（SEI膜未形成安全）；c.客户的线路板漏电（指客户加工后送回的电芯）；d.客户未按要求点焊（客户加工后的电芯）；e.毛刺；f.微短路；g.负极产生枝晶。
4、超厚
a.焊缝漏气;b.电解液分解;c.未烘干水分;d.盖帽密封性差;e.壳壁太厚;f.壳太厚;g.卷芯太厚（附料太多；极片未压实；隔膜太厚）。
5、电池化成异常
a.未化成好（SEI膜不完整、致密）；b.烘烤温度过高→粘合剂老化→脱料；c.负极比容量低；d.正极附料多而负极附料少；e.盖帽漏气，焊缝漏气；f.电解液分解，电导率降低。
6、电池爆炸
a.分容柜有故障（造成过充）；b.隔膜闭合效应差；c.内部短路。
7、电池短路
a.料尘；b.装壳时装破；c.尺刮（隔膜纸太小或未垫好）；d.卷绕不齐；e.没包好；f.隔膜有洞；g.毛刺
8、电池断路
a）极耳与铆钉未焊好，或者有效焊点面积小；b）连接片断裂（连接片太短或与极片点焊时焊得太靠下）
amjs澳金沙门常见不良分析
一、无闪现、输出电压低、带不起负载
此类不良首要排除电芯不良（电芯原本无电压或电压低），假设电芯不良则应检验保护板的自耗电，看是否是保护板自耗电过大导致电芯电压低。假设电芯电压正常，则是因为保护板整个回路不通（元器件虚焊、假焊、FUSE不良、pCB板内部电路不通、过孔不通、MOS、IC损坏等）。具体分析
过程如下：
（一）、用万用表黑表笔接电芯负极，红表笔依次接FUSE、R1电阻两端，IC的Vdd、Dout、Cout端，p+端（假定电芯电压为3.8V），逐段进行分析，此几个检验点都应为3.8V。若不是，则此段电路有问题。
1、FUSE两端电压有改动：检验FUSE是否导通，若导公例是pCB板内部电路不通；若不导公例FUSE有问题（来料不良、过流损坏（MOS或IC操控失效）、质料有问题（在MOS或IC动作之前FUSE被烧坏），然后用导线短接FUSE，持续往后分析。
2、R1电阻两端电压有改动：检验R1电阻值，若电阻值失常，则或许是虚焊，电阻自身开裂。若电阻值无失常，则或许是IC内部电阻出现问题。
3、IC检验端电压有改动：Vdd端与R1电阻相连。Dout、Cout端失常，则是因为IC虚焊或损坏。
4、若前面电压都无改动，检验B-到p+间的电压失常，则是因为保护板正极过孔不通。
（二）、万用表红表笔接电芯正极，激活MOS管后，黑表笔依次接MOS管2、3脚，6、7脚，p-端。
1.MOS管2、3脚，6、7脚电压有改动，则标明MOS管失常。
2.若MOS管电压无改动，p-端电压失常，则是因为保护板负极过孔不通。
二、短路无保护
1、VM端电阻出现问题：可用万用表一表笔接IC2脚，一表笔接与VM端电阻相连的MOS管管脚，供认其电阻值大小。看电阻与IC、MOS管脚有无虚焊。
2、IC、MOS失常：因为过放保护与过流、短路保护共用一个MOS管，若短路失常是因为MOS出现问题，则此板应无过放保护功用。
3、以上为正常情况下的不良，也或许出现IC与MOS装备不良引起的短路失常。如前期出现的BK-901，其型号为‘312D’的IC内延迟时间过长，导致在IC作出相应动作操控之前MOS或其它元器件已被损坏。注：其间供认IC或MOS是否发作失常最简易、直接的方法便是对有怀疑的元器件进行替换。
三、短路保护无自恢复
1、规划时所用IC原本没有自恢复功用，如G2J，G2Z等。
2、仪器设置短路恢复时间过短，或短路检验时未将负载移开，如用万用表电压档进行短路表笔短接后未将表笔从检验端移开（万用表相当于一个几兆的负载）。
3、p+、p-间漏电，如焊盘之间存在带杂质的松香，带杂质的黄胶或p+、p-间电容被击穿，ICVdd到Vss间被击穿。（阻值只有几K到几百K）。
4、假设以上都没问题，或许IC被击穿，可检验IC各管脚之间阻值。
四、内阻大
1、因为MOS内阻相对比较稳定，出现内阻大情况，首要怀疑的应该是FUSE或pTC这些内阻相对比较简单发作改动的元器件。
2、假设FUSE或pTC阻值正常，则视保护板结构检测p+、p-焊盘与元器件面之间的过孔阻值，或许过孔出现微断现象，阻值较大。
3、假设以上多没有问题，就要怀疑MOS是否出现失常：首要供认焊接有没有问题；其次看板的厚度（是否简单弯折），因为弯折时或许导致管脚焊接处失常；再将MOS管放到显微镜下观测是否破裂；终究用万用表检验MOS管脚阻值，看是否被击穿。
五、ID失常
1、ID电阻自身因为虚焊、开裂或因电阻质料不过关而出现失常：可从头焊接电阻两端，若重焊后ID正常则是电阻虚焊，若开裂则电阻会在重焊后从中裂开。
2、ID过孔不导通：可用万用表检验过孔两端。
3、内部线路出现问题：可刮开阻焊漆看内部电路有无断开、短路现象。
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